ТЕПЛОВЫЕ ПРОЦЕССЫ В МОЩНОМ ВЫСОКОСКОРОСТНОМ InGaAs/InP p–i–n-ФОТОДИОДЕ С БАЛОЧНЫМИ ВЫВОДАМИ
Научная публикация
ТЕПЛОВЫЕ ПРОЦЕССЫ В МОЩНОМ ВЫСОКОСКОРОСТНОМ InGaAs/InP p–i–n-ФОТОДИОДЕ С БАЛОЧНЫМИ ВЫВОДАМИ
Автор(ы): И. А. Хорунжий, Д. С. Доманевский, С. А. Малышев, А. Л. Чиж
УДК: 536.241
Год издания: 2013
Дата загрузки: 18.06.2014
Загрузил(а): Левитская А. А.

Описание:
Методом компьютерного моделирования исследованы тепловые процессы в высокоскоростном фотодиоде с балочными выводами и малой фоточувствительной областью. Установлено, что основной отвод тепла от активной светочувствительной области фотодиода происходит через анодный контакт. Показано, что в результате изменения толщины и ширины анодного кон- такта, а также при наличии остаточного слоя подложки InP толщиной 2 мкм можно повысить мощность, рассеиваемую прибором, в ~7,5 раза при сохранении прежней температуры активной области прибора, работающего в непрерывном режиме.

Использование электронных материалов, размещенных на данном сайте, осуществляется на договорной основе. Разрешается использовать ресурсы в единичном экземпляре и исключительно в личных целях.



Физико-математические науки и информатика