МОДЕЛИРОВАНИЕ АДСОРБЦИОННО-РЕЗИСТИВНОГО ОТКЛИКА В СЕНСОРНЫХ СЛОЯХ ОРГАНИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Научная публикация
МОДЕЛИРОВАНИЕ АДСОРБЦИОННО-РЕЗИСТИВНОГО ОТКЛИКА В СЕНСОРНЫХ СЛОЯХ ОРГАНИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Автор(ы): В. К. Долгий, А. Е. Почтенный
УДК: 539.213.2
Год издания: 2014
Дата загрузки: 04.03.2015
Загрузил(а): Левитская А. А.

Описание:
Предложенная теоретическая модель адсорбционно-резистивного отклика примесного орга- нического полупроводника при сопоставлении с экспериментальными данными позволила уста- новить механизм сенсорного отклика на диоксид азота пленок ионно-легированного фталоцианина меди. Показано, что ионно-имплантированная примесь увеличивает сенсорный отклик, если электронные состояния этой примеси располагаются по шкале энергий ниже собственных, а состояния регистрируемого газа – между собственными и состояниями ионно-имплантированной примеси. Установлено, что максимальный сенсорный отклик наблюдается при концентрации ионно-имплантированной примеси, соответствующей переходу от собственной к примесной проводимости примесного органического полупроводника.

Использование электронных материалов, размещенных на данном сайте, осуществляется на договорной основе. Разрешается использовать ресурсы в единичном экземпляре и исключительно в личных целях.



Физико-математические науки и информатика