КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕПЛОВЫХ ПРОЦЕССОВ В МОЩНОМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОМ ПРИБОРЕ
Научная публикация
КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕПЛОВЫХ ПРОЦЕССОВ   В МОЩНОМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОМ ПРИБОРЕ
Автор(ы): И. А. Хорунжий
УДК: УДК 536.241
Год издания: 2012
Дата загрузки: 18.04.2014
Загрузил(а): Цылина И. А.

Описание:
Рассмотрена компьютерная модель процессов теплообмена внутри мощного четырехкри- стального светодиода. Показано, что значительную часть в общее тепловое сопротивление прибора вносит тепловое сопротивление слоя посадки полупроводникового чипа. Отмечено, что дополнительное тепловое сопротивление, создаваемое слоем посадки, приводит к сущест- венному повышению максимального перегрева светодиодных чипов (почти в 3 раза по срав- нению с перегревами, которые могли бы иметь место в отсутствие теплового сопротивления этого слоя).

Использование электронных материалов, размещенных на данном сайте, осуществляется на договорной основе. Разрешается использовать ресурсы в единичном экземпляре и исключительно в личных целях.



Физико-математические науки и информатика